IBM:芯片制造是其局限性 但我们的技术可以解决这个问题

IBM设计了材料和流程,可以帮助提高芯片生产的效率在7 nm节点和超越。该公司的研究人员正致力于挑战“area-selective沉积”的新兴领域,技术可能有助于克服限制光刻技术来创建模式在7纳米硅过程。

半工程有一个整洁的光刻图形为什么在7海里有日益增长的兴趣area-selective沉积.

技术,如“多个模式”帮助确保集成电路不断扩展,但从28 nm芯片已经缩减到7海里流程,芯片制造商需要处理更多层次和更小的特性,需要更精准地定位模式。

这些功能需要调整层之间。别时,它会导致边缘位置误差(EPE),一个挑战,英特尔光刻技术专家严Borodovsky相信光刻无法解决,最终将阻碍摩尔定律。

2015年,他鼓励该行业调查area-selective沉积,IBM的研究人员正在探索的区域,这可能有一天成为一个继任者EUV光刻,该技术三星现在准备在实验室里的工厂经过几十年。

晶圆厂已经在使用某些形式的选择性沉积在金属表面上沉积材料设备。Area-selective沉积需要一个工具,可以沉积材料的不同组合集,金属对金属和电介质电介质,在设备上。

鲁迪·J Wojtecki,IBM的阿尔马登研究中心研究员解释了IBM的努力提高技术:

与传统制造方法”,这将要求涂层衬底与抵制,模式通过曝光抵制一步,发展形象,沉淀的无机膜,然后剥离抵抗给你一个有图案的无机材料。

“我们发现沉淀这种无机膜的方法更简单,使用一个自对准的过程,可在预制的衬底,我们沉浸在溶液中含有的特殊材料,然后添加涂层基质沉积室,你就完成了。我们真的能够成长的一个组件设备以可控的方式在纳米���度上。”

组使用的三种主要方法之一area-selective沉积称为原子层沉积的关注使用的自组装单层膜(SAMs)。

它可能帮助铺平道路硬件更好地支持人工智能应用程序,如三维结构。

“一旦我们开发的方法扩展这一过程,我们可以开始将它作为我们构建新一代硬件,无论是新人工智能硬件或设备7纳米技术节点或以外,“Wojtecki说。

IBM并不是唯一一个在发展中area-selective原子层沉积技术,但Wojtecki认为他有能力调整要求应用程序的化学结构使得开发新的聚合反应,材料和表征方法,总有一天会成为可伸缩。