二极管正负极判断符号图（二极管正负极）

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1、二极管有正负极。

2、二极管的特性：正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。

3、这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。

4、当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。

5、在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。

6、当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。

7、叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。

8、硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

9、2、反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。

10、由于反向电流很小，二极管处于截止状态。

11、这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

12、一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。

13、温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。

14、（1）击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。

15、引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。

16、电击穿时二极管失去单向导电性。

17、如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。

18、因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

19、二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。

20、二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

21、二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。

22、主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。

23、二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。

24、（2）特性曲线与PN结一样，二极管具有单向导电性。

25、硅二极管典型伏安特性曲线（图）。

26、在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。

27、对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。

28、在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。

29、当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。

30、不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

31、3、反向击穿（1）齐纳击穿反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。

32、在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。

33、如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。

34、（2）雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。

35、当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。

36、新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。

37、无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。

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