高通发布基于 10nm FinFET 的下一代顶级骁龙 835

高通在 2015 年发布了有问题的骁龙 810 之后，迄今为止相对平静。其当前的顶级产品骁龙 820 和骁龙 821没有继承骁龙 810 的过热问题，许多 OEM 厂商都信任高通为其旗舰产品带来动力。

今天，这家芯片制造巨头宣布了骁龙 820 和 821 二人组的继任者骁龙 835。高通似乎会跳过Snapdragon 830 的名字，至少现在是这样。

高端芯片将在 2017 年进入手机，所以我们还有一些等待要做。在我们等待的同时，高通告诉我们，它再次与三星合作，以使用这家韩国科技巨头的 10 纳米 FinFET 工艺。

金鱼草又复活了上个月我们告诉过您，三星率先开始批量生产基于 10 纳米 FinFET 技术的片上系统 (SoC)。但台积电紧随其后，联发科即将推出的 Helio X30 将采用自己的 10nm 技术。

无论如何，在骁龙820/821之后，高通和三星再次联手推出了骁龙835。不出所料，新的硅胶片将带来几大好处。高通在其新闻稿中将新产品与其 14nm FinFet 前辈进行了比较，称新的 10nm 技术使 835 体积缩小 30%，性能提高 27%，能效提高 40%。

这意味着，电池寿命应该会有所提升，未来智能手机中的其他组件将会有更多空间。原始设备制造商也可以选择集成更大的电池等东西，从而满足用户对更持久设备的永无止境的渴望。

骁龙 835 还将利用高通的下一代 Quick Charge 4.0 技术，与之前的Quick Charge 3.0相比，充电速度有望提高 20% 。