基于二维半导体可逆掺杂的可编程电子产品

近年来，研究人员一直在尝试开发新型的高性能电子设备。随着基于硅的器件正接近其最大性能，它们最近开始探索使用替代超导体制造电子器件的潜力。

二维(2-D)半导体，例如石墨烯或二硒化钨(WSe 2)，对于电子学的发展特别有希望。然而，不幸的是，由于这些材料的晶格内掺入杂质掺杂剂的空间有限(控制半导体材料的载流子类型和电子性能至关重要的过程)，控制这些材料的电子性能可能非常具有挑战性。

加利福尼亚大学洛杉矶分校的研究人员最近设计了一种方法，可以开发由2D半导体制成的可编程设备。该方法发表在《自然电子》上的论文中，该方法利用碘化银中的超离子相变，通过称为可切换离子掺杂的过程，在由WSe 2制成的器件中调整载流子类型。

进行这项研究的研究人员之一段向峰告诉TechXplore：“我们工作的主要目标是创建可在中等温度下编程并且在室温下稳定运行的可编程电子设备。” “我们的研究首次证明超离子材料可用于定制原子薄半导体的电荷载流子类型，并创建极性可切换的可编程电子组件，例如二极管和晶体管，它们可在室温下稳定运行，并且可以通过某些方式擦除环境提示。”