SK海力士刚刚公布了其下一代HBM3内存的规格

SK 海力士刚刚公布了其下一代 HBM3 内存的规格，它将提供更高的传输速率、更大的容量和新的热改进。

SK Hynix 表示其 HBM3 内存将实现高达 665 GB/s 的带宽、双倍容量并提供新的散热创新

在其产品页面上，SK 海力士现在列出了一张比较表，将其当前一代 HBM2E 内存与下一代 HBM3 内存进行比较。根据 DRAM 制造商的说法，HBM3 内存有望实现 5.2 Gbps 的 I/O 速度，比现有的 HBM2E 内存提高 44%。这也会导致内存带宽增加，SK 海力士也提供了这方面的数据。据 SK Hynix 称，HBM3 内存将实现高达 665 GB/s 的原始带宽，而 HBM2E 内存最高可达 460 Gbps。这也比现有的 DRAM 提高了 44%。除此之外，SK海力士还将完善其首次在HBM2E上引入的创新，例如HBM3的增强散热技术。该技术可在 -14C 较低温度下为 HBM2E 内存提供高达 36% 的散热效果。我们可以期待 HBM3 提供更好的结果。

继续，在容量方面，我们预计第一代 HBM3 内存与 HBM2E 非常相似，后者由 16Gb DRAM Dies 组成，总共 16 GB(8-hi 堆栈)。但是，一旦 JEDEC 最终确定规范，我们可以预期 HBM3 的内存密度会增加。对于产品，我们预计明年将推出一系列产品，例如基于下一代 CDNA 架构的 AMD 的 Instinct 加速器、NVIDIA 的 Hopper GPU，以及基于其下一代 Xe-HPC 架构的英特尔未来的 HPC 加速器。