三星为明年的5G旗舰产品量产16GbLPDDR5

尽管三星的智能手机业务在过去两个季度中出现了大幅下滑，但其半导体和硅业务仍然表现强劲。仿佛为了证明它比以往任何时候都强大，该公司宣布量产其迄今为止最先进的DRAM。虽然仅16Gb(千兆位，而不是千兆字节)的容量已经是最大的容量，但这是三星更引以为傲的芯片生产。

首先，它是在三星的平泽2号线生产的，它被誉为最大规模的半导体生产线。在某种程度上，这是一种独立性和民族主义的表现，使客户放心，该公司能够在三星没有直接控制的外国地区之外，从自己的家乡生产高质量，大批量的芯片。

该第三代10nm类(1z)16Gb V-NAND也是三星公司第一款使用EUV或Extreme Ultraviolet光刻技术批量生产的芯片。简而言之，该方法利用激光和光敏化学品以尽可能最薄和最小的尺寸蚀刻电路。结果是该芯片比三星最近发布的12Gb DRAM薄30%。

尽管体积更小，但16Gb LPDDR5有望更快，平均速度为6,400 Mb / s(兆比特/秒)。在理想情况下，这意味着它可以在一秒钟内传输51.2GB的数据，相当于十个5GB的全高清电影。

三星计划仅将这八个16Gb芯片中的八个结合在一起，以形成16GB(千兆字节)RAM封装，暗示三星将把该模块包装到2021年的高级手机中。三星也将目光投向了汽车应用，不过，三星正在测试该芯片的可靠性，以满足汽车制造商和监管机构制定的环境标准。